在芯片集方法中，处理器被分解成多个较小的裸片（Chiplet），然后集成在一个封装中，而不是集成在一个大型裸片中。先进封装技术是实现小芯片系统的关键。与传统封装（PCB 上的引线键合单芯片）不同，先进方法包括2.5D 集成（使用中间硅中介层或桥接器在小芯片之间扇出连接）和3D 集成（其中芯片垂直堆叠）。值得注意的是，台积电的CoWoS已成为 2.5D 封装的代名词：它使用带有密集硅通孔 (TSV) 的硅中介层将多个芯片（逻辑芯片、内存）连接为一个，突破了标准基板的密度限制。台积电 SoIC（系统级集成电路芯片）代表用于高密度垂直堆叠的 3D 芯片上键合。竞争方法包括英特尔的 EMIB（嵌入式多芯片桥接器）。以及三星的 2.5D 平台I-Cube（在中介层上集成芯片）和 3D 堆叠技术X-Cube；这些技术瞄准的是高性能计算芯片。

本质上，Chiplet 和先进封装密不可分——异构集成如今已成为半导体领域的关键创新前沿。本报告深入探讨了截至 2025 年的 Chiplet 和先进封装市场格局，涵盖产能与供应、高带宽存储器的采用、主要参与者的市场份额、成本趋势以及专家展望。

全球产能和区域扩张努力

亚太地区占据先进封装生产的主导地位，其中中国台湾和韩国为首。尤其是台积电 (台湾)，多年来一直大规模投资于先进封装能力。2024 年，台积电的 CoWoS 产量约为每月 45,000-50,000 个晶圆封装，台积电的CoWoS 生产线多年来一直处于销售一空的状态。主要是由Nvidia、AMD 和其他 AI 芯片制造商 供应。为了缓解瓶颈，台积电一直在迅速扩建位于台湾竹南和新竹的工厂，甚至还计划在台湾嘉义等地建立新的先进封装工厂。

在压力下，台积电也在地域上分散其封装足迹。在美国，台积电宣布计划在其亚利桑那州园区建设先进封装产能。韩国是另一个重要枢纽——除了三星的努力（如下所述）之外，内存巨头 SK Hynix和三星都在内部进行 HBM 堆叠，并正在提升这些后端能力。。英特尔作为 IDM 和新兴代工企业，正在积极进军先进封装领域。英特尔的 3D 封装技术 (Foveros) 和 2.5D 技术 (EMIB) 均由其自主研发，用于自己的芯片，但英特尔现在也向代工客户提供这些功能。该公司一直在大力扩建产能：在马来西亚槟城，英特尔最大的先进封装工厂（71 万平方英尺的洁净室）于 2023 年底竣工，英特尔还在美国扩大封装业务，尤其是在